参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	FQB19N20LTMn: 0
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak,TO-263AB D2PAK
起订量	800
最小包	800
现货	1995 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	QFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	21A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	35nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2200pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3.13W(Ta),140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	140m Ohms@10.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak,TO-263AB
封装/外壳	D2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	200V
连续漏极电流Id	21A